【芯资讯】两大韩系存储巨头双线布局 AI 与高堆叠 NAND，行业周期分化加剧

一、SK 海力士发布 HBM3E1 超高带宽内存，牢牢抢占 AI 存储核心赛道

1. 核心性能优势
   单颗最高带宽达 1.15TB/s，一秒可处理 230 部 5GB 全高清电影；采用全新 MR-MUF 封装工艺，散热、功耗效率较上代提升 10%，适配 AI 高负载持续运算；搭配 6 相 RDQS 信号方案，大幅提升高速传输稳定性，降低大模型读取报错概率SK hynix Newsroom。
2. 行业价值
   HBM 是 AI GPU 核心配套存储，SK 海力士完整覆盖 HBM 全代际产品线，英伟达 GH200、H200 高端算力芯片均搭载该系列产品，AI 算力爆发带动高端存储量价齐升，成为存储厂商穿越下行周期的核心增长点。

二、三星、SK 海力士高堆叠 NAND 路线正面竞争，技术路线完全分化

1. 三星：2024 年量产 300 层 + 双堆叠 V9 NAND
   采用双重堆叠架构，单片堆叠层数突破 150 层，工艺成本更可控；规划 2030 年闪存堆叠突破 1000 层，长期拉高存储密度、摊薄单 Gb 成本，适配服务器、消费 SSD 海量需求。
2. SK 海力士：321 层三重堆叠 TLC NAND，2025 年量产
   行业首款突破 300 层的 NAND 产品，分三段堆叠（120/110/91 层），单 Die 容量 1Tb；通过六平面并行架构弥补大容量闪存读写速度短板，主打数据中心、AI 大容量存储场景，但三重堆叠工艺流程更长、制造成本更高。
   短期三星凭借量产时间差抢占高密闪存市场，长期两家分别依靠低成本工艺、超高密度路线错位竞争。

三、晶圆代工需求持续疲软，IC 设计厂不愿为折扣盲目扩产投片

四、硅晶圆出货终止连续下滑，但旺季拉动力度偏弱

1. 短期支撑：晶圆厂受长约约束必须按期拉货，托举硅片出货数据；12 英寸高端硅片受益 AI 芯片需求保持韧性；
2. 后市预期：业内对 Q3 旺季行情持保守态度，预计营收仅持平或小幅增长；消费、通用逻辑芯片库存高企，晶圆厂持续削减成熟制程投片，硅晶圆厂商中长期经营承压，现货、长约价格同步松动。

五、全球算力军备竞赛升温，英国斥资 1.3 亿美元采购数千颗 AI 芯片

1. 采购规模：英国研究与创新署与英伟达谈判进入后期，计划采购多达 5000 颗 GPU；
2. 全球算力对比：此前沙特已采购 3000 余颗英伟达 H100 高端芯片用于自研大模型；中美、中东、欧洲多国同步锁单高端算力芯片，AI GPU 供需持续紧缺，进一步拉动配套 HBM、大容量 NAND 存储需求。

行业整体总结

1. 存储赛道极致分化
   消费级 NAND 仍处于去库存周期，厂商依靠减产修复价格；AI 高端 HBM 存储需求爆发，成为存储企业核心盈利支柱；三星、SK 海力士加速高堆叠闪存技术迭代，抢占下一代高密度存储市场。
2. 成熟代工 / 硅片持续承压
   终端需求疲软、库存高企压制上游投片意愿，成熟制程价格战延续，硅晶圆仅依靠长约小幅托底出货，行业复苏节奏延后。
3. 全球 AI 算力需求长期刚性
   多国政府、科技企业大手笔采购高端 GPU，直接拉动 HBM、大容量 NAND、先进晶圆代工需求，算力产业链成为半导体行业唯一持续高景气赛道。