【芯深度解读】SiC 不会短期取代 IGBT，硅基 IGBT 是当下主流、碳化硅代表长期产业未来

一、行业政策与产业落地双重利好 SiC 赛道

1. 顶层政策加码新能源汽车
   国家多部委印发《关于促进汽车消费若干措施》，大力完善充电基建、推进新能源汽车下乡，持续拉动车载功率器件整体需求，为 SiC 规模化上车提供市场基础。
2. 国内 SiC 产业链实现批量量产突破
   中国电科国基南方、55 所自研 650V~1200V 车规 SiC MOSFET 出货量突破 1200 万只，实现稳定大批量供货，标志国内车载碳化硅摆脱完全依赖海外原厂的局面，国产 SiC 进入商业化放量阶段。

二、核心议题：SiC 能否彻底取代硅基 IGBT？

1、性能对比：SiC 天然具备代际优势

• 耐温上限高达 600℃，散热系统轻量化；
• 耐压、高频特性突出，开关损耗大幅降低；
• 同等功率下器件体积更小、整车续航提升 5%~10%；
  适配 800V 高压快充平台、大功率主逆变器、车载 OBC、充电桩、光伏逆变器等高能效场景。

2、成本短板制约短期全面替代

• 20 万以内平价新能源车型：优先使用硅基 IGBT，控制整车定价；
• 20 万以上中高端、大电池、800V 高压平台车型：搭载 SiC MOSFET，依靠续航、快充优势形成产品差异化。

3、市场数据验证分层渗透趋势

1. 40 万元以上新能源车型占比由 2017 年 1.2% 升至 2023 年 3.4%；
2. 20~30 万区间新能源车占比从 8.5% 提升至 17.5%；
   中高端车型基数持续扩大，直接打开 SiC 稳定增量市场。

三、新能源汽车爆发，大幅提速 SiC 渗透节奏

1. 整车销量远超早期行业预期
   工信部 2020 规划 2025 年新能源汽车销量 600 万辆；但 2022 年国内产销已突破 700 万辆，院士丁荣军预判 2025 年销量可达 1500 万辆。新能源渗透率超预期增长，直接放大车载功率器件整体需求。
2. 两大增量叠加，SiC 空间持续扩容

• 中高端新能源车销量快速增长，SiC 搭载比例持续抬升；
• 未来 SiC 衬底产能释放、工艺良率提升带动器件成本下行，应用逐步下探至中端车型，渗透边界持续拓宽。

3. 多下游赛道同步拉动需求
   除新能源车主逆变器外，SiC 广泛用于直流充电桩、光伏、风电储能、工业电源，多赛道共振支撑行业高增长。

四、行业市场规模预测

五、产业布局启示：兼顾当下 IGBT，提前布局 SiC 长期赛道

1. 短期（1-3 年）
   硅基 IGBT 仍是新能源、工控基础功率核心物料，平价车型、存量设备维修需求刚性，供应链需稳定备货硅基功率器件，保障现有产线交付。
2. 中长期（3-10 年）
   高压快充、整车能效升级是确定性趋势，SiC 渗透比例逐年提升；企业、采购端需提前对接国产 SiC 厂商、导入 SiC 方案验证，抢占中高端车型配套订单。
3. 行业格局判断
   短期不会出现 SiC 全面替代 IGBT 的局面，二者长期共存、分层应用；但碳化硅作为第三代半导体核心赛道，增长空间远大于传统硅基功率器件，提前布局供应链才能把握产业红利。

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