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元器件涨价“马力全开”：基本面要素加强，扩散至全产业链

WsxMall 2026-03-23 14:28:10 4 Related Key Words: 元器件涨价“马力全开”：基本面要素加强扩散至全产业链

本轮元器件涨价潮势头持续强劲，上游原材料、需求端的涨价支撑要素不仅未减弱，反而持续加强，使得涨价态势“马力全开”，已全面扩散至存储器、IC器件、被动元件全产业链，成为2026年半导体行业的核心关键词。

一、存储器：卖方市场凸显，涨价力度超预期

开年以来，AI需求的虹吸效应持续主导存储产能投放，HBM、企业级eSSD等高性能产品抢占更多产能，导致传统存储器供不应求加剧，下游存储模组厂实际供应量仅为需求的30%-50%，手机、PC品牌商供应受限。

DRAM领域，TrendForce集邦咨询预测Q1通用型DRAM合约价环比涨幅达55%-60%，三星、SK海力士计划将服务器DRAM价格较2025年Q4提升60%-70%，PC、智能手机领域涨价幅度相近。华邦、南亚等台系原厂一改“锁量锁价”传统，推出“锁量不锁价”长期合约。值得关注的是，高盛亚洲报告显示，当前DDR4现货价较合约价高172%，DDR5差价达76%，预示下一季度合约价将大幅补涨，而2026年DRAM新增产能有限、DDR4甚至减产，进一步强化涨价预期。

NAND闪存涨价更为激进，Q1主要客户供应价格上调超100%，远超机构此前预期，SK海力士、闪迪跟进大幅涨价，闪迪甚至提出100%现金预付的长期锁量方案，铠侠则证实2026年NAND产能已全部售罄，合约价涨幅达30%且仍有上行空间。群智咨询数据显示，Q1消费电子存储价格环比涨超60%，其中NAND涨幅突破70%，创下近年单季最高纪录。三星、SK海力士今年将进一步缩减NAND产能，优先追求利润，叠加三星洁净室转产DRAM，产能缺口持续扩大。

强势卖方市场下，应用端成本压力陡增。即便是供应链议价能力极强的苹果，也需接受LPDDR内存大幅涨价，三星报价较上一季度涨超80%，SK海力士涨幅接近100%，为全行业设定了涨价基准，议价能力较弱的企业将面临更大成本压力或供应短缺。

二、晶圆代工与IC：产能结构性紧缺，涨价趋势扩散

8英寸晶圆代工成为涨价核心推手，AI服务器、边缘算力对PMIC等功率器件需求旺盛，这类芯片多采用8英寸晶圆生产，叠加消费电子领域提前备货，导致8英寸产能结构性紧缺。与此同时，台积电、三星等国际大厂为聚焦先进制程，正战略性削减8英寸产能，目标2027年部分厂区停产。TrendForce预计，2026年全球8英寸晶圆总产能萎缩2.4%，产能利用率升至85%-90%高位，行业已进入供给主导的涨价周期，预计全线涨价5%-20%。

晶圆代工涨价叠加日月光等封测厂商5%-20%的涨价，已逐步向IC设计行业传导。联发科明确表示将适度调价，电源管理IC厂商等待先行涨价者跟进，业内预计农历年后IC设计行业涨价趋势将明朗，电源IC有望成为首批涨价领域。

目前已有多家IC企业启动涨价：ADI明确2月1日起调价；1月27日，中微半导发布涨价函，鉴于供需紧张及成本压力，对MCU、NOR Flash等产品涨价15%-50%，其表示封装成品交付周期变长、框架及封测费用持续上涨是涨价核心原因；国科微也发布调价函，对合封512Mb、1Gb、2Gb的KGD产品分别涨价40%、60%、80%，外挂DDR产品价格另行通知。上游成本增加、AI虹吸效应，共同推动高端及高可靠IC产品需求增长，更多厂商跟进涨价值得关注。

三、被动元件：涨价惯性延续，全品类协同上涨

被动元件上行周期持续，涨势不断扩大。年关之际，钽电容、电阻、磁珠等品类已开启涨价，开年之后，国巨宣布2月1日起对RC0402、RC0603等型号电阻涨价15%-20%，厚声、华新科紧随其后跟进涨价，标志着被动元件涨价已全面传导至电阻领域，进入全行业协同上涨阶段。

成本压力是被动元件涨价的直接推手，2025年银、铜、钽等关键金属原材料价格大幅上涨，叠加人力、电力成本上升，厂商无法内部消化，只能通过提价传导压力。需求端呈现“高端强、低端弱”格局，AI服务器、新能源汽车对高性能、高可靠性被动元件需求旺盛且价格敏感度低，传统消费电子需求平淡，资源向高端产品倾斜，进一步助推涨价。

与以往不同，本轮被动元件涨价由“结构性增长”驱动，而非传统周期性波动，呈现MLCC、电感、电阻、钽电容全品类共振态势，龙头领涨后全行业跟进，行业普遍认为，本轮上行周期将比以往更具持续性。AI与汽车电子带来的高端市场增长持久，供应商正加大高端产品研发与产能投入，未来竞争核心将集中在技术、材料掌控及供应链安全上。