行业深度解读｜SiC 市场供需格局生变，国产衬底迎来替代黄金窗口期

一、市场供需拐点显现：欧美 SiC 衬底放开亚洲供货，价格松动

1. 海外 6 英寸未磊晶 SiC 衬底报价由 1000 美元小幅下调至 950 美元，开始批量向亚洲市场放量；
2. 海外衬底厂主动对接国内车规功率企业，山东天岳、天科合达等国产衬底头部企业已与英飞凌等国际大厂签订长期供货协议；
3. 价格对比：海外衬底 950 美元 / 片，国内一线厂商 850 美元 / 片，国产具备显著成本优势；
4. 行业竞争加剧：车厂推行物料多元化供应链策略，海内外衬底厂商同步扩产，后续行业价格竞争将持续加剧。

二、SiC 长期成长空间广阔，新能源车为核心增长引擎

SiC 核心材料优势，完美适配电动化高压平台

1. 应用价值：新能源车主逆变器、车载 OBC、充电桩、光伏储能、工业变频等高频高压场景刚需；
2. 整车落地效果：特斯拉、比亚迪、蔚来等车企批量搭载 SiC MOSFET，有效降低整车电能损耗，同等电池容量下提升续航，同时缩减电控模块体积，助力整车轻量化；
3. 当前行业瓶颈：衬底良率偏低、产能有限，整体制造成本偏高，成为大规模普及的核心阻碍。
   业内测算，仅两台特斯拉整车即可消耗一片 6 英寸 SiC 晶圆全部器件，全球年产能仅 40-60 万片，供需长期错配。特斯拉宣布下一代车型降低 75% SiC 用量，本质是应对产能不足、控制成本的短期策略，并未改变行业长期增长逻辑。

三、海外大厂全面垂直整合，国内企业加速追赶缩小代差

1. 国际头部厂商并购布局全产业链，锁定衬底自主供给

• ST 收购 Norstel、安森美收购 GTAT、罗姆收购 SiCrystal，自建衬底产线；
• 英飞凌未收购衬底厂商，转而收购晶圆切割企业 Siltectra，通过提升晶圆利用率缓解衬底产能缺口；
• 行业趋势：垂直整合成为头部企业标配，自主可控衬底产能是长期竞争核心壁垒。

2. 国产 SiC 产业链迎来重大发展机遇

1. 供应链多元化利好本土厂商：国际大厂分散供货渠道，英飞凌等海外巨头正式采购国产 6 英寸 SiC 衬底，本土材料企业实现海外头部客户突破；
2. 技术迭代同步推进：国内山东天岳、天科合达等企业突破晶体生长、晶片加工核心工艺，同步推进 6 英寸向 8 英寸晶圆升级，海内外技术代差大幅收窄；
3. 本土需求底盘稳固：国内全球最大新能源汽车、储能市场，下游整车、充电桩、光伏企业国产化替代意愿强烈，为国产 SiC 衬底、外延、器件提供充足下游应用市场；
4. 长期发展路径：完整打通衬底 — 外延 — 器件全链条制造能力，降低海外材料依赖，保障国内新能源产业链供应链安全稳定。

四、行业发展关键趋势与本土企业机会

1. 晶圆尺寸升级降本
   行业由 6 英寸向 8 英寸 SiC 晶圆迭代，单片晶圆可产出更多芯片，单位器件成本大幅下降，是推动 SiC 大规模渗透的核心路径，国内外厂商同步扩产 8 英寸产线。
2. 成本与良率是核心竞争胜负手
   衬底晶体生长周期长、良率偏低，是 SiC 成本居高不下的根源；谁率先突破高良率量产工艺、规模化扩产，谁就能抢占市场份额。一旦成本大幅下探，家电、工业电源等海量民用市场将全面打开。
3. 赛道具备强周期抗跌属性
   当前消费电子、通用芯片持续去库存、行情低迷，而 SiC 依托新能源汽车、储能双高景气赛道，是半导体行业为数不多具备长期确定性增长的细分赛道。
4. 国产替代窗口期明确
   海外原厂垂直整合、产能短期释放有限，叠加车企多元化备货需求，国内 SiC 衬底、外延、功率器件企业迎来难得的追赶机遇，依托本土下游庞大市场，持续缩小与国际巨头技术差距，完善自主可控第三代半导体产业链。

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