展商预告｜功率半导体厂商上海功成半导体登陆 CITE2023，SJ 超结 MOS + 沟槽 FS IGBT 赋能光储充碳中和赛道

一、参展基础信息

二、企业综合实力概况

1. 企业布局
   2018 年 5 月成立，总部上海，无锡、深圳、成都多地设立分支机构，深耕功率半导体研发与产业化。
2. 完整产品矩阵
   覆盖低压屏蔽栅 SGT MOS、高压超结 SJ MOS、沟槽栅 FS 型 IGBT、SiC SBD/SiC MOS、GaN HEMT、IPM 功率模块、专用功率 IC 全品类，覆盖从低压消费电源到高压大功率新能源变流全场景。
3. 工艺与认证优势
   依托华虹宏力 8/12 英寸成熟晶圆产线平台自研专利器件结构；IGBT 产品通过 AEC-Q101 车规认证，已批量导入上汽等整车供应链，同时具备 ISO9001 质量体系保障。

4. 产业核心赛道

   紧扣双碳战略，核心服务光伏储能、直流充电桩、车载 OBC、工业电源、5G 通信等高能效电能转换场景，为新能源设备提供国产化功率芯片替代方案。

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三、两大核心参展主力产品详解

展品一：SJ 超结 MOSFET（高压高效功率开关）

1. 核心技术突破
   采用 N/P 周期性交替超结耐压层，打破传统平面 VDMOS “耐压与导通电阻” 硅极限，传统器件 Rdson*BV 呈 2.5 次方关系，SJ MOS 实现两者近似线性平衡；同等耐压下导通电阻、栅极电荷、芯片面积同步大幅缩减，是高压高频电源最优器件方案。
2. 产品系列规格
   基于华虹宏力深沟槽工艺，自研 G1~G5 全系列，耐压覆盖 500V~1000V，导通电阻 14mΩ~4000mΩ；针对开关速度、反向恢复、EMI、可靠性专项优化设计。
3. 全场景落地应用

• 新能源工业场景：光伏逆变器、储能 PCS、大功率直流充电桩、新能源车载充电机、5G 基站工业电源；
• 消费电子场景：PD 快充、LED 照明、TV 显示器、适配器开关电源。

展品二：沟槽栅场截止 FS IGBT（大功率变流核心器件）

1. 器件底层优势
   在 VDMOS 基础上增加背面 P + 注入，依靠电导调制效应大幅降低导通压降、缩小芯片面积；采用行业前沿 Trench FS 沟槽场截止工艺，相比传统 IGBT 拥有更低 Vcesat、更小开关损耗、更高长期可靠性，适配高压大电流工况。
2. 产品规格覆盖
   F/S/D/L 多系列，耐压 600V~1200V，电流 5A~100A，完整覆盖中小功率至兆瓦级大功率设备需求。

3. 典型应用领域

   光伏逆变器、UPS 不间断电源、感应加热、工业伺服驱动器、电焊机、大型家电、新能源车电控系统。

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四、参展核心价值亮点

1. 精准匹配 CITE 半导体、新能源汽车、储能三大热门展区
   展会聚焦集成电路自主创新、智能网联汽车、大数据储能赛道，功成半导体高压功率器件、车规级 IGBT 直击光储充、车载电源国产化刚需，直面全国逆变器、充电桩、储能设备、整车研发采购团队。
2. 光储充一站式国产功率解决方案展示
   同步展出高压 SJ MOS、FS IGBT 两大新能源核心芯片，可配套光伏、储能、充电桩整机厂商一站式选型、试样，实现外资英飞凌、安森美、东芝功率器件平价替代。
3. 兼顾工业 + 车规双重市场，技术壁垒突出
   产品同时覆盖通用工业电源与 AEC-Q101 车规严苛场景，现场可提供车载 OBC、储能变流器全套器件匹配方案，解决车企、储能厂商供应链安全、降本两大核心痛点。

4. 完整全栈功率器件技术储备

   除本次展出 SJ MOS、IGBT 外，企业同步布局 SiC、GaN 第三代宽禁带半导体、IPM 功率模块，现场可同步洽谈第三代半导体样品开发、联合研发合作，把握新能源车 800V 高压平台长期增量机遇。

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五、观展邀约