设计适配高分辨率、高帧率 CMOS 图像传感器的 LDO/DC‑DC/PMIC 电源系统,需要充分理解供电设计的各类关键挑战。不同像素规格(800 万像素与 5000 万像素)、不同帧率(30 fps、60 fps、120 fps)对电源要求差异显著,同时还要明确不同工作频率下对电源抑制比(PSRR)的指标需求。本文梳理 CMOS 图像传感器供电方案设计前期需要考量的核心要点。
主流像素晶体管架构包含 3T、4T、5T 结构。以 4T 四晶体管像素为例:光电二极管完成光电转换,配合行列选择开关;采用源跟随放大器驱动列总线,避免干扰光电二极管读取。像素按行依次读出,电荷存入列电容,再经由列解码器、多路复用器输出信号。
高分辨率(50‑200MP)、高帧率图像传感器选型要求:低频段(≤10 kHz)PSRR>90 dB;1‑3 MHz 频段 PSRR>45 dB,以此抑制行、帧切换带来的纹波干扰。
系统设计要求:电源整体纹波、噪声水平至少比传感器 SNR 阈值低 40 dB。
设计 CMOS 图像传感器供电方案,像素规模、帧率、动态范围都会改变电源指标需求;高分辨率相机的最大帧率同时受 ISP 处理能力、MIPI C/D‑PHY 通道速率约束。
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