应需而生！兆易创新推出突破性 1.2V 超低功耗 SPI NOR Flash 产品系列

中国北京（2022 年 8 月 19 日） — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新 GigaDevice（股票代码 603986）宣布，推出突破性的 1.2V 超低功耗 SPI NOR Flash 产品 ——GD25UF 系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，面向智能可穿戴、健康监测、物联网等单电池供电设备，可大幅降低系统运行功耗，有效延长终端续航时间。

随着物联网产业快速迭代，新一代智能可穿戴设备功能持续丰富，产品内部空间受限，对整机功耗、续航提出极为严苛的要求。同时，先进工艺主控芯片工作电压已经下探至 1.2V，若配套 Flash 同样支持 1.2V 电压运行，可省去电压转换环节，简化电源架构，降低整机物料成本，是当下硬件设计的迫切需求。

针对行业痛点，兆易创新正式发布 GD25UF 系列，工作电压覆盖1.14‑1.6V，支持单通道、双通道、四通道、DTR 四通道多种 SPI 模式，多容量规格可选，充分满足智能终端代码存储需求。

• 性能参数：STR 最高时钟 120MHz，DTR 可达 60MHz，具备 10 万次擦写寿命，数据保存周期长达 20 年；

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• 安全特性：搭载 128bit 唯一 ID，实现硬件加密，提升设备数据安全等级。

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产品设置Normal Mode 正常模式、Low Power Mode 低功耗模式两种工作状态，适配不同工作场景：Normal 模式下，四通道 120MHz 读取电流低至 6mA；Low Power 模式下，四通道 1MHz 读取电流仅 0.5mA，擦写电流 7mA，睡眠功耗低至 0.1uA。对比传统 1.8V 供电 SPI NOR Flash，Normal 模式同等电流条件功耗下降 33%，Low Power 模式同频率下功耗降低 70%，显著拉长电池供电设备使用时长。

GD25UF 提供 SOP8、WSON8、USON8、WLCSP 多种封装选择，温度档位覆盖‑40℃~85℃、‑40℃~105℃、‑40℃~125℃，可以适配消费、工业等多场景温度环境。

兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示：“GD25UF 系列进一步丰富了兆易创新 Flash 产品线。1.2V 低电压与超低功耗特性，能够帮助小电池供电设备提升续航，即便电池出现自然衰减，依旧保障设备稳定运行，提升产品可靠性。续航已经成为消费者选购终端产品的核心考量，GD25UF 是下一代可穿戴设备的优选存储方案。作为国内少数具备 1.2V SPI NOR Flash 产品能力的厂商，兆易创新提前响应市场需求，降低客户研发压力，助力终端厂商在激烈市场竞争中建立优势。”

现阶段 GD25UF 系列 64Mb 容量样品已对外提供，后续更多容量版本将陆续推出，企业客户可联系兆易创新销售代表或授权代理商获取技术资料与样品。

关于兆易创新（GigaDevice）