【芯资讯】博通营收创新高，SK 海力士延长供应 DDR4 内存

一、博通：AI 驱动业绩爆发，Q3 营收创新高

1. 核心财务数据（2025 财年 Q3，截至 8 月 3 日）

• 总营收：159.52 亿美元，同比 + 22%，创历史新高
• GAAP 净利润：41.4 亿美元（去年同期亏损 18.75 亿美元）
• 非 GAAP 净利润：84.04 亿美元，同比 + 37.3%
• AI 半导体收入：52 亿美元，同比 + 63%，占总营收 33%
• 自由现金流：70.2 亿美元，同比 + 47%
• 未完成订单：超 1100 亿美元，订单能见度极强

2. AI 业务成增长引擎

• 为全球 7 家顶级 AI 企业中的 4 家提供定制 AI 加速器（ASIC）
• 本季度斩获新客户 ** 超 100 亿美元 XPU（AI 算力机架）** 订单
• 预计 Q4 AI 半导体收入增至 62 亿美元，实现连续 11 个季度增长

3. 业务结构与毛利率

• 半导体解决方案：营收 91.66 亿美元，同比 + 26%，毛利率约 69%
• 基础设施软件（含 VMware）：营收 67.86 亿美元，同比 + 17%，毛利率 92.5%
• 综合毛利率 78.1%，虽环比微降但显著高于行业平均

二、SK 海力士：技术与产能双突破

1. 引入全球首台量产型 High NA EUV 设备

• 设备型号：ASML TWINSCAN EXE:5200B，存储业界首款量产型 High NA EUV
• 核心参数：NA 从 0.33 提升至 0.55（+40%），电路精度 **+1.7 倍 **，集成度 **+2.9 倍 **
• 战略意义：简化 EUV 工艺，加速下一代存储器研发，巩固高附加值存储市场地位
• 应用场景：用于HBM、DDR5等先进存储芯片制造

2. 撤回 DDR4 停产计划，扩产无锡产线

• 政策反转：跟随三星，撤回 2025 年停产 DDR4 计划，延长生产至 2026 年
• 产能调整：提升中国无锡工厂DDR4 晶圆投片规模（老旧制程，设备已折旧）
• 价格驱动：DDR4 价格反超 DDR5，8 月底 16Gb 现货价：DDR4 8.59 美元 vs DDR5 6.17 美元
• 历史参考：DDR2→DDR3 切换时曾出现 4 个月价格倒挂，本次持续时间值得关注

3. DRAM 市场表现（2025 年 Q2）

• 全球营收：316.34 亿美元，环比 + 17.1%，同比 + 38.1%
• SK 海力士：营收 122.3 亿美元，环比 + 25.8%，市占率38.7%，蝉联第一
• 三星：营收 103.5 亿美元，环比 + 13.7%，市占率 32.7%
• 美光：营收 69.5 亿美元，环比 + 5.7%，市占率 22%
• 增长动力：一般型 DRAM 价量齐升、HBM 出货扩张、库存去化完成

三、国产芯片与设备动态

1. 豪威集团：高压隔离驱动芯片 ORD110x

• 应用：IGBT/SiC 驱动，最大支持1500V电机控制系统
• 核心参数：电容隔离，10,000V浪涌隔离电压，共模瞬变抗扰度 > 150V/ns
• 认证：AEC-Q100，栅极驱动电流 > 15A
• 进度：ORD1100/1101 已送样，2026 年 Q1 量产

2. 帝奥微：eUSB repeater 产品

• 功能：eUSB2 与 USB2 信号双向转换，支持主机 / 设备 / 双角色中继
• 优势：高兼容、低功耗、宽温，适用于物联网、消费电子、汽车电子
• 知识产权：完全自主研发，提升高速接口芯片竞争力

3. 国芯科技：汽车 BLDC 驱动芯片 CBC2100B

• 工艺：130nm BCD，适用于汽车水泵 / 油泵 / 空调风机、工业 BLDC 控制
• 意义：自主知识产权，助力解决新能源汽车高端 MCU 缺芯问题
• 进度：内部测试成功，已送样客户，待第三方检测

4. 中微公司：六款半导体设备新品

• 刻蚀设备：Primo UD-RIE（极高深宽比）、Primo Menova（12 寸金属 ICP）
• 薄膜沉积：三款 ALD（Preforma Uniflash 金属栅）、一款外延（PRIMIO Epita RP）

四、行业趋势总结

1. AI 算力持续爆发：博通 AI 芯片收入占比超 33%，订单饱满，定制 ASIC成主流
2. 存储技术分化：SK 海力士布局High NA EUV攻坚高端，同时扩产 DDR4收割成熟市场
3. DDR4 价格倒挂：供需错配导致 DDR4 价格反超 DDR5，原厂策略转向成熟产品盈利最大化
4. 国产替代加速：在功率、接口、汽车电子、设备等领域持续突破，产业链自主可控能力提升