【芯资讯】NXP与世界先进宣布合资建立12英寸晶圆厂，面向汽车、工业等领域

1. NXP与世界先进合资，新加坡新建12英寸晶圆厂

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恩智浦（NXP）日前正式宣布，将与晶圆代工厂世界先进（VIS）携手成立合资企业——VisionPower半导体制造公司（VSMC），计划在新加坡新建一座300毫米（12英寸）晶圆厂。该晶圆厂将聚焦130纳米至40纳米混合信号、电源管理及模拟产品的研发与生产，广泛覆盖汽车、工业、消费电子及移动终端等核心应用领域，其基础工艺技术将计划从台积电获得许可并转让给合资企业。

据悉，该合资企业将在2024年下半年启动晶圆厂初始阶段建设，待所有必要监管批准落地后，预计2027年向客户交付初始产能。合资企业将以独立商业代工供应商模式运营，为NXP与世界先进两大股权合作伙伴提供有保证的比例产能，目标到2029年实现每月5.5万片300毫米晶圆的产量。在第一阶段建设及运营成功后，双方将结合股权合作伙伴承诺，评估并推进第二阶段扩建计划。

资金投入方面，该晶圆厂初步扩建总成本预计达78亿美元。其中，世界先进将注入24亿美元，持有合资企业60%股权；NXP将注入16亿美元，持有剩余40%股权。此外，双方已同意额外出资19亿美元，用于支撑长期产能基础设施建设，剩余资金（含贷款）将由第三方提供。该晶圆厂将由世界先进负责全面运营管理，后续待项目落地后还将创造约1500个工作机会。

2. NXP携手采埃孚，联合开发SiC牵引逆变器

恩智浦（NXP）同步宣布，与采埃孚公司达成合作，共同研发下一代基于碳化硅（SiC）的电动汽车牵引逆变器方案。该方案将依托恩智浦先进的GD316x高压（HV）隔离栅极驱动器，核心目标是加速800-V电压平台及SiC功率器件的产业化应用，打造安全、高效、高性能的牵引逆变器产品。

作为电动汽车电动动力系统的核心部件，牵引逆变器的核心作用是将电池直流电压转换为时变交流电压，为车辆电机提供驱动动力。相较于上一代硅基IGBT和MOSFET功率开关，SiC功率器件需搭配高压隔离栅极驱动器，才能充分发挥其开关频率高、传导损耗低、热特性优异、高电压鲁棒性强等优势，进而帮助电动汽车扩展续航里程、减少充电次数，同时降低整车厂商的系统级成本。

3. 英特尔出售爱尔兰Fab 34工厂49%股份，套现110亿美元

据快科技消息，英特尔近期对外宣布，已与阿波罗全球管理公司达成协议，将其位于爱尔兰的Fab 34芯片工厂49%的股份以110亿美元的价格出售。此次交易的核心目的，是为英特尔大规模扩张计划引入外部资金，缓解公司当前的财务压力。

据悉，Fab 34工厂是英特尔在欧洲唯一采用极EUV光刻技术的芯片制造工厂，主要为Intel 4和Intel 3制程晶圆提供生产支持。截至目前，英特尔已在该工厂累计投资184亿美元。此次交易预计于2024年第二季度完成，属于英特尔半导体共同投资计划（SCIP）的第二项核心举措。

4. 英伟达黄仁勋澄清：三星HBM仍在认证中，未出现测试未通过情况

据IT之家报道，在2024台北国际电脑展上，英伟达CEO黄仁勋针对三星HBM内存相关传闻作出澄清，明确表示英伟达仍在对三星HBM内存进行认证，否认“三星HBM未通过任何英伟达测试”的说法，并强调认证过程需要更多时间、工作与耐心。

目前，SK海力士已率先向英伟达供应HBM3及更先进的HBM3e芯片，其股价也随之持续飙升；而三星在HBM领域仍处于追赶阶段，此次黄仁勋的澄清，也间接回应了市场对三星HBM产品竞争力的质疑。

5. 安森美推出完整电源解决方案，提升数据中心能效

安森美（onsemi）日前宣布，推出最新一代T10 PowerTrench系列与EliteSiC 650V MOSFET的组合方案，为数据中心应用提供完整的电源解决方案。该方案在缩小封装尺寸的同时，实现了无与伦比的能效表现和卓越的热性能，可有效解决数据中心能耗高、空间紧张的核心痛点。