【芯资讯】美光拟日本建厂、NAND闪存高价或维持
1. 美光重启日本DRAM新厂计划，引入EUV光刻技术
据快科技引述日媒报道，美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县兴建一座DRAM芯片新厂，最快将于2027年底投入营运，预计总投入6000至8000亿日元（约合51亿美元）。该工厂将于2026年初正式动工，并配备EUV光刻设备，助力先进制程DRAM的生产。
据悉，美光原本就有在日本建厂的规划，最初预计2024年实现投产，但受此前市场环境不佳影响，计划一度搁置。如今随着芯片市场回暖，尤其是人工智能热潮带动DRAM需求激增，美光重启该建厂计划。值得一提的是，美光于2013年收购前DRAM大厂尔必达后，在日本已积累深厚技术储备，目前拥有超过4000名工程师和技术人员，为新厂建设提供有力支撑。此外，美光广岛基地的洁净室扩建项目场地准备工作已顺利推进，将为新厂技术节点升级提供产能保障。
2. 慧荣总经理表态：NAND闪存高价态势将维持一整年
据中国台湾工商时报消息，闪存控制芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章指出，受AI热潮带动，内存需求迎来爆发式增长，而SK海力士、铠侠、西数等NAND原厂扩产态度谨慎，预期NAND闪存价格将持续维持在高位一整年。
苟嘉章表示，AI时代下，慧荣将携手NAND大厂、模块厂商、云端服务厂商及服务器制造商，共同推动AI产业发展。自今年3月起，市场对QLC闪存的需求已逐步显现，NAND闪存报价持续攀升，带动原厂毛利率回升。在毛利率达到预期目标前，原厂扩产将保持谨慎态度，供给吃紧的局面将持续，预计下半年才会逐步增加产能，避免错失AI相关商机。
3. 信通院：4月国内手机出货量同比增长28.8%，5G手机表现亮眼
据IT之家消息，中国信通院发布最新数据显示，2024年4月国内市场手机出货量达2407.1万部，同比增长28.8%，行业复苏态势明显。其中，5G手机出货量2023.2万部，同比大幅增长52.2%，占同期手机出货量的84.1%；智能手机出货量2266.8万部，同比增长25.5%，占比达94.2%。
累计数据来看，2024年1-4月国内市场手机出货量9148.6万部，同比增长12.3%；其中5G手机7666.5万部，同比增长18.3%，占比83.8%；智能手机出货量8644.1万部，同比增长10.3%，占比94.5%。值得注意的是，1-4月智能手机上市新机型93款，同比下降29.0%，占同期手机上市新机型数量的71.5%，机型迭代节奏有所放缓。
4. 集邦咨询：预估第二季MLCC出货量季增6.8%，达12345亿颗
据科创板日报消息，TrendForce集邦咨询观察指出，2024年第一季MLCC出货量已触及近三季谷底，随着行业需求逐步回暖，预估第二季MLCC出货量将季增6.8%，达到12345亿颗，同步带动行业营收实现小幅增长。
集邦分析认为，第二季ODM手中订单呈现分化态势：AI服务器相关MLCC需求稳步增长，成为核心支撑；而消费性电子受传统季节性影响，招标项目需求偏低，增长乏力。整体来看，ICT产品需求虽未出现节庆备货式的高增长，但较第一季维持低增长态势，助力MLCC厂商产能稼动率逐步回稳，推动出货量回升。
5. iPhone降价成效显著，4月中国市场出货量同比大增52%
据快科技消息，苹果在中国市场实施的史上最大规模降价策略成效显著，最新数据显示，2024年4月份苹果iPhone在中国市场出货量同比增长52%，实现大幅反弹。据悉，今年前两个月iPhone在中国市场出货量曾出现下滑，但3月份已率先实现增长，行业复苏趋势明显。
分析师指出，随着消费者对手机设备升级的需求提升，iPhone在中国市场的下滑趋势有望彻底结束。相关调查显示，超过一半的受访者表示愿意为下一部手机花费超过4000元人民币（约合550美元），而目前使用高端手机的受访者仅占33%，高端手机市场仍有较大增长空间。
6. 英飞凌推出400V CoolSiC MOSFET系列，聚焦AI服务器领域
英飞凌日前正式宣布，推出全新CoolSiC MOSFET 400V系列产品，该产品组合专为AI服务器的AC/DC阶段研发，同时也适用于太阳能和储能系统、逆变器电机控制、工业和辅助电源以及住宅楼固态断路器等应用场景。
相较于现有650V SiC和Si MOSFET，该新系列产品具备超低导通和开关损耗优势。在多级PFC架构中应用时，AI服务器PSU的AC/DC级可实现超过100 W/in³的功率密度，且效率经验证可达99.5%。目前，该系列产品的工程样品已正式上市，计划于2024年10月启动批量生产。
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