WsxMall > Industry Information > 【芯资讯】HBM 产能排挤，DRAM 内存下半年或供不应求

【芯资讯】HBM 产能排挤，DRAM 内存下半年或供不应求

WsxMall 2026-05-08 14:16:00 1 Related Key Words: 【芯资讯】HBM 产能排挤 DRAM 内存下半年或供不应求

1. 集邦：年底 HBM 相关先进制程投片占 DRAM 总量达 40%

据财联社援引集邦咨询研究，三星、SK 海力士、美光三大存储原厂持续加码先进制程投片。随着存储器合约价回暖上涨，原厂资金投入意愿提升，产能扩张集中在 2024 年下半年，预计年底1alpha nm 及以上先进制程投片，将占 DRAM 总投片比重约 40%。

HBM 因高盈利、高需求优先级最高，但其良率仅维持在 50%–60%，且晶圆面积比普通 DRAM 大超 60%，占用投片资源极高。从 TSV 产能分配来看，年底HBM 将占先进制程投片的 35%，剩余产能用于生产 LPDDR5 (X)、DDR5 等通用内存产品。

据中国台湾工商时报消息，三星、SK 海力士、美光全力加码高带宽内存 HBM 研发与量产。业内法人分析，受HBM 产能排挤效应影响，2024 年下半年通用 DRAM 或将进入供不应求格局，南亚科、威刚、十铨等存储模组及原厂有望直接受益。

2024 年下半年 HBM3e 成为市场主流并集中放量，叠加传统内存旺季来临，DDR5、LPDDR5 (X) 需求同步走高。在原厂优先保障 HBM 产能的前提下，通用 DRAM 产出被持续压缩，下半年产能分配节奏将决定整体供给松紧。

据科创板日报引述中国台湾电子时报，当前消费电子终端需求仍偏弱，但 AI 服务器、云端等高阶应用供需紧张，持续带动存储合约价上行，原厂普遍看好涨价行情延续至 2025 年。

受涨价预期驱动，存储模块厂商积极提前备货，2024 年一季度行业存货金额攀升至阶段高点，各家存货周转天数普遍达到6–8 个月，提前锁价锁料应对后续供给偏紧行情。

据快科技消息，AI 大模型带动 GPU 需求爆发，以英伟达 H100 为代表的 AI 芯片订单激增，造成台积电CoWoS 先进封装产能严重供不应求。

台积电计划 2024 年全力扩产，预计年底 CoWoS 月产能达 4 万片，较 2023 年至少提升 150%；同时已启动 2025 年产能规划，有望再度倍增，其中英伟达需求占比超半数。

行业瓶颈集中在 HBM 封装环节：HBM3/3E 堆叠层数提升至 8–12 层，下一代 HBM4 将达 16 层，大幅增加封装工艺复杂度与生产难度。

据 IT 之家消息，苹果首席运营官杰夫・威廉姆斯到访台积电并举行闭门会议，由台积电总裁魏哲家亲自接待。市场消息透露，苹果计划包圆台积电初期 2 纳米工艺全部产能，主要用于自研 AI 芯片及新一代终端处理器，提前卡位先进制程资源。

分析机构 Omdia 发布报告预测，RISC-V 架构芯片出货量将保持每年 50% 增速增长，2030 年市场份额有望达到 25%，全年出货量达 170 亿颗。

应用结构上，工业领域占比最高达 46%；汽车行业增速最快，年增长率预计 66%。相比 X86 封闭高功耗、Arm 扩展性受限，RISC-V 指令精简、无架构历史包袱、功耗更低，既能提升车载系统性能，又可有效降低整车芯片制造成本，成为车用芯片重要替代方向。

Next： No More