【芯资讯】AI 风口下,两大芯片巨头 “不给力”:砸钱破局,押注 2025 团战
一、AI 成半导体行业核心增长主线
随着 ChatGPT、Sora、Kimi 等生成式 AI 应用全面爆发,在消费电子低迷、汽车电子增长走弱的行业大环境下,AI 已成为全球芯片产业最重要的增长引擎与核心支撑。
当前 AI 赛道格局已定:SK 海力士 HBM 内存、博通交换机、英伟达 GPU 牢牢占据 AI 算力核心卡位,先发优势稳固。反观三星、英特尔两大综合型芯片巨头,业务版图虽广,却未在 AI 浪潮中建立绝对竞争壁垒。面对行业变局,两家企业只能通过大额投入、战略重构、加码研发扩产,蓄力攻坚,全面押注2025 年先进制程与 HBM 工艺行业团战,谋求弯道超车。
二、三星:HBM + 先进代工双线承压,筹资断臂全力追赶
三星身为全球存储龙头与晶圆代工大厂,在 AI 时代直面高强度正面竞争,无回避空间,只能主动应战、砸钱破局。
1、HBM 赛道落后,良率短板突出
HBM 技术由 SK 海力士与 AMD 率先定义,AI 算力爆发彻底激活 HBM 需求,让 SK 海力士抢占先发优势。三星产品线布局过于全面,反而分散资源,难以在 AI 高端存储领域形成聚焦。
数据显示,三星 HBM3 良率仅
10%–20%,远低于 SK 海力士 60%–70%。尽管英伟达官宣采购三星 12 层 HBM3,更多是出于
供应链多元化、分散供货风险的考量,虽给三星留出入局窗口,但首要任务仍是快速拉升良率、稳定产能交付。
2、变卖资产筹资,以高投入换追赶窗口期
为集中资金攻坚 HBM 与先进制程,三星密集筹措资金:从三星显示获取大额分红,同时
作价 65 亿美元出售 ASML 全部股权,充实研发与扩产现金流。
不同于过往逆周期低位布局,此次三星在 HBM、先进代工均以
追赶者身份入场,投入规模大、回报周期不确定,成本压力显著抬升。
3、先进制程良率滞后,代工份额被挤压
台积电 3nm 已稳定贡献营收,三星同级别 3nm GAA 工艺良率虽从 10%–20% 提升至 30%–60%,依旧存在明显差距;旗下 4nm 工艺真实良率仅 35%,直接导致
高通下一代 3nm 芯片全面转单台积电。
长期以来三星依靠性价比走差异化路线,但 AI 时代台积电凭借 5nm 及以内工艺积累,锁定高端核心客户,三星仅能在头部厂商分散供应链时分得少量订单。2025 年台积电也将切入 GAA 制程,三星代工竞争压力将进一步加大。
2023 年三星研发支出达
28 万亿韩元,营收占比升至 13%,为备战 2025 年工艺决战,今年研发投入将继续加码,赌定 AI 上行周期兑现长期投资价值。
三、英特尔:错失移动时代,重金押注制程决战 2025
英特尔近年发展略显乏力,错失移动芯片黄金机遇,AI 算力赛道又被英伟达 GPU 强势压制,叠加营收连续两年双位数下滑,破局意愿强烈。
1、FPGA 业务独立,折射整合能力短板
英特尔旗下 FPGA 业务正式独立并恢复 Altera 品牌,对比 AMD 收购赛灵思后的高效协同发展,凸显英特尔并购整合能力不足,也是其近年战略滞后、创新乏力的缩影。
2、坚定工艺路线,All in 18A GAA 决战 2025
受 IDM 架构属性、早年 14nm 制程长期停滞拖累,英特尔在 AI 算力领域反应滞后,CPU 难以抗衡英伟达 GPU 生态优势。
英特尔坚定执行
5N4Y 工艺路线,四年推出五个工艺节点,把未来战略全面押注
18A GAA 工艺,计划 2025 年在 3nm/2nm 先进制程赛道正面开战。面对台积电成熟的代工生态与客户壁垒,英特尔只能以
挑战者姿态逆风入局。
3、借政策红利拿补贴,拉拢客户构建本土生态
依托美国芯片制造回流政策,英特尔获得独有政策加持:美国商务部提供
85 亿美元补助 + 110 亿美元贷款,合计近 200 亿美元补贴,可撬动千亿美元级产业投资。
英特尔规划 2027 年在俄亥俄州打造
全球最大 AI 芯片制造基地,总投资 280 亿美元。同时主动对接特斯拉、OpenAI 等头部企业,积极争取高端芯片订单,卡位汽车智能与 AI 算力赛道。
在地缘因素加持下,美国本土企业加速打造
全链条在美生产体系,成为英特尔弯道超车的重要利好,以大额资本投入换取错失的发展时间,成为其核心战略。
四、行业展望:AI 重塑格局,巨头砸钱蓄力 2025
在消费电子尚未复苏的背景下,AI 成为半导体行业回暖的核心锚点,也将引发新一轮产业洗牌。
综合型巨头业务线繁杂、多线承压,而专精型企业更容易快速建立优势。三星、英特尔凭借体量与资源优势,通过
变卖资产、加码研发、政策借力、定点攻坚砸钱破局,找准战略方向、调整发展节奏后,有望依托 AI 产业红利,在 2025 年先进制程、HBM 产能的行业团战中重塑市场格局。