【芯资讯】台积电、三星、英特尔先进制程争夺战打响
一、台积电 2nm 明年量产，锁定全球头部芯片客户
据中国台湾电子时报消息，台积电新竹宝山 Fab20 P1 厂将于 4 月启动设备装机，为GAA 架构量产提前筹备。宝山 P1、P2 及高雄三座先进制程晶圆厂，均规划 2025 年正式量产，强势吸引苹果、英伟达、AMD、高通等大厂争抢产能。
三星虽布局 GAA 谋求弯道超车，但受良率拖累难以打开市场。台积电 2nm 加速装机，一方面拉长先进制程良率爬坡周期，另一方面持续对三星、英特尔形成技术压制、拉开代差。供应链透露，台积电 2nm 预计今年四季度试产、2025 年第二季量产；设备厂商已提前调配人力、开展人员培训，适配台积电客制化工艺需求。
二、三星 3nm 良率翻三倍，整体仍大幅落后台积电
业内消息显示，三星 3nm GAA 工艺良率已实现三倍提升，由原先 10%-20% 升至 30%-60%，但相较台积电仍存在明显差距。同时台积电今年将 3nm 月产能扩至约 10 万片，进一步压缩三星追赶空间。
行业报告指出，三星若要重新赢回高通等大客户认可，良率需拉升至70% 以上，短期难以实现，头部客户仍将持续倾向台积电。此外，三星已通知客户及合作伙伴，将第二代 3nm 工艺更名划归为 2nm，试图在制程命名层面缩小与竞品差距。
三、英特尔斥资千亿美元在美扩产，全力瞄准 AI 芯片赛道
在美国政府提供 195 亿美元资金及贷款支持后，英特尔宣布投入1000 亿美元，在美国四州新建及扩建晶圆厂，并争取额外 250 亿美元税收抵免。
英特尔 CEO 表示，五年投资计划核心布局俄亥俄州哥伦布，将打造全球最大 AI 芯片制造基地，最快 2027 年投产。千亿美元投资中约 30% 用于土建、基建及人力成本，其余资金将集中采购 ASML、东京电子、应用材料、KLA 等大厂半导体设备，全面备战先进制程与 AI 芯片产能。
四、SK 海力士投 120 万亿韩元，规划新建 4 座晶圆厂
据外媒报道，SK 海力士将于 2025 年 3 月在韩国京畿道永仁半导体集群动工新建晶圆厂，至 2046 年累计投资120 万亿韩元（约 892.45 亿美元），落地总计 4 座晶圆厂。
该规划 2019 年已公布，受审批许可延后开工；首座工厂定位全球最大三层式晶圆厂。韩国政府也计划 6 月底出台专项战略，加快 AI 芯片出口扶持、强化半导体基建配套，全力保障本土企业在全球制造及HBM 高带宽内存领域保持竞争力。
五、DRAM 二季度合约价涨幅收敛，由双位数回落至个位数
受 DRAM 库存尚未回归健康水位、原厂稼动率随盈利改善回升，叠加二季度终端需求偏弱影响，集邦科技 TrendForce 预估，第二季各规格 DRAM 合约价涨幅将由双位数收敛至个位数，季涨幅区间约3%-8%。
六、戴尔 PC 全年销量大跌 20%，启动裁员控本
受市场饱和、消费购买力下滑影响，PC 行业持续承压。Counterpoint 数据显示，2023 年戴尔全年 PC 出货量同比暴跌20%；最新财报季度营收 223 亿美元，同比下滑 11%。
戴尔已启动裁员、冻结外部招聘等降本举措，员工规模由一年前 12.6 万人缩减至近 12 万人，通过组织优化应对 PC 行业下行周期。
七、iPhone 国内 2 月出货同比暴跌 33%，后续压力仍存
2024 年 2 月 iPhone 中国市场出货量同比大跌33%，且已是连续两个月下滑；1 月出货量约 550 万部，同比减少 39%。
业内预判，随着国产 AI 手机快速崛起、国内市场竞争加剧，苹果 iPhone 在华销售承压态势还将延续，短期难有明显回暖。
八、意法半导体推出 100V 沟槽肖特基整流二极管系列
意法半导体全新发布100V 沟槽肖特基整流二极管系列，适配高频开关电源场景，有效提升功率转换器工作效率。新品共 28 种型号，电流规格 1A–15A，覆盖工业、汽车级应用，提供多类贴片封装。
产品出厂 100% 经过雪崩测试，保障系统稳定性；目前已全面量产，其中 1A 规格 STPST1H100ZF 起售价 0.107 美元。
九、东芝推出电机控制专用 Cortex-M4 MCU
东芝 TXZ + 族 M4K 系列新增 8 款 Arm Cortex-M4 内核 MCU，搭载 FPU 浮点运算单元，闪存容量由 256KB 扩充至512KB/1MB，RAM 升至 64KB，保留 160MHz 主频、32KB 数据闪存及 10 万次擦写寿命等核心特性，提供 4 种封装选型。
新品主打消费电子、工业设备电机变频控制、物联网终端等场景，进一步完善工业控制 MCU 产品布局。
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