【芯资讯】安森美架构调整、三星提升闪存产能
一、安森美重组架构,成立模拟与混合信号事业部
安森美(onsemi)宣布全新组织架构调整,正式成立模拟与混合信号事业部(AMG),由 Sudhir Gopalswamy 出任总裁。新部门整合原先进方案部(ASG)、电源方案部旗下 ICD 集成电路分部,聚焦电源管理 IC、高精度低功耗传感接口及通信产品。
该部门将发力193 亿美元增量市场,重点拓展汽车、工业、云端应用;负责人同时执掌智能感知事业部(ISG),两大板块去年合计营收近 40 亿美元。安森美将基于新架构发布 2024 年一季度财报并同步历史对比数据。
二、三星西安闪存厂产能回升至 70%,逆势增产 NAND
韩媒消息,三星已将西安 NAND 闪存工厂产能利用率恢复至 70%。该厂是三星唯一海外存储基地,贡献其全球 NAND 总产量 40%;去年下半年最低仅 20%–30%。
在 SK 海力士持续减产 NAND 背景下,三星逆势提升稼动率,并向韩国本土供应商加购闪存组件,强化供给端布局。
三、群联 CEO 喊话:建议 NAND 厂商停止减产,避免价格过高抑制需求
NAND 主控大厂群联 CEO 潘建成提出警示:SSD 持续涨价将压制终端需求,价格过高会导致市场需求再次走弱;建议闪存原厂停止减产,以产能匹配市场需求,而非依靠供需失衡持续推高价格。
四、台积电新一轮追单 CoWoS 设备,月产能有望突破 4 万片
台积电本月启动新一轮 CoWoS 先进封装设备追单,设备预计四季度交付。自 2023 年 4 月起台积电已多次集中下单 CoWoS 设备,本次为今年首次大规模追加。
此前市场预估 2024 年底台积电 CoWoS 月产能 3.2–3.5 万片,受本轮扩产带动,月产能有望突破 4 万片,应对 AI 芯片封装紧缺需求。
五、英飞凌推出 2000V CoolSiC MOSFET,适配光伏储能与充电桩
英飞凌发布
2000V CoolSiC MOSFET,采用 TO‑247PLUS‑4‑HCC 封装,满足高功率密度、高压高频严苛场景,兼顾系统可靠性。
产品面向光伏组串逆变器、储能系统、新能源汽车充电桩,现已上市;同步配套 EVAL‑COOLSIC‑2KVHCC 评估板,可用于双脉冲、PWM 等测试验证。
六、传音自研电源芯片 Cheetah X1 曝光,搭载自有旗舰手机
传音旗下 Infinix 推出首款自研
电源管理芯片 Cheetah X1,将用于 NOTE 40 系列手机,支撑 All‑Round FastCharge 2.0 快充方案。
芯片采用晶圆级封装,体积大幅缩小、信号延迟降低,处理效率提升 204%,兼顾高速充电、轻薄机身设计,实现快充性能与便携性兼顾。