Welcome to WsxMall | Register
BOM
Product Categories
WsxMall > Industry Information > 【芯资讯】英飞凌携手格芯扩产车规芯片，存储一季度迎大幅涨价

【芯资讯】英飞凌携手格芯扩产车规芯片，存储一季度迎大幅涨价

WsxMall 2026-05-18 14:16:57 1 Related Key Words: 【芯资讯】英飞凌携手格芯扩产车规芯片 存储一季度迎大幅涨价

【芯资讯】英飞凌携手格芯扩产车规芯片，存储一季度迎大幅涨价


一、英飞凌 × 格芯深化多年合作，锁定汽车 MCU 与电源器件产能

英飞凌官宣与格芯达成多年长期代工协议，由格芯为其生产40nm AURIX TC3x 车规 MCU、电源管理及连接芯片，保障 2024‑2030 年汽车电子产能供给。
双方自 2013 年起持续合作，依托高可靠性 ** 嵌入式非易失性存储器（eNVM）** 技术，适配自动驾驶、新能源汽车严苛安全要求，强化英飞凌在车规功率与控制芯片领域的供应链安全。

二、美满电子布局 2‑5nm 先进工艺，发力高端芯片研发

美满电子首席开发官透露，已启动2nm 相关技术研发投入，正在推进 2~5nm 先进工艺开发，瞄准高端芯片市场，布局下一代存储与通信芯片技术。

三、2023 年国内手机出货回暖，全年同比增长 6.5%

中国信通院数据显示，2023 年国内手机出货2.89 亿部，同比 + 6.5%；
  • 国产品牌占比 79.9%，5G 手机出货 2.40 亿部，同比 + 11.9%；
  • 智能手机出货 2.76 亿部，同比 + 4.8%，消费电子终端迎来复苏拐点。

四、DRAM 投片量逐季回升，Q1 小幅扩产约 5%

DRAM 晶圆稼动率持续改善，2024 年 Q1 投片量环比提升约 5%，下半年扩产节奏加快；原厂逐步恢复产能，供给端边际宽松。

五、存储一季度大幅涨价，NAND 涨幅超 DRAM，结构性行情凸显

TrendForce 最新预判：
  • Q1 DRAM 合约价季涨 13%‑18%，NAND 涨 18%‑23%；
  • Q2 涨幅收敛至 3%‑8%，Q3 进入传统旺季，Q4 控产下涨势延续；
  • 涨价为结构性行情：DDR5、HBM 高端产品拉动整体均价，部分传统颗粒或下跌。


Next： No More
Recommended articles

Hot -selling model

Popular content

WeChat Consultation

+86 4000004090

operating hours: GMT+8 9:00-21:00

Online WhatsApp

Product Index ：

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
Company Address： Room 3612, Building A, Xinghe Century, Caitian Road, Futian District, Shenzhen

Copyright @ 2008-2023 Vansion Technology All Rights Reserved