2025 年下半年,存储市场进入
超级周期,DRAM、NAND 共振式涨价,部分单品单月涨幅高达 60%,DDR4 累计涨幅超 100%。
本轮行情并非简单周期反弹,而是
AI 重构存储产能 + 供应链安全升级共同塑造的行业大变局。
一、三巨头战略决战:全面押注 AI,放弃消费市场
三星:利润优先,产能灵活切换
- 计划将 30%~40% HBM3E 产能转回高利润通用 DRAM(DDR5 利润率超 60%)
- HBM 月产能扩至 17 万片,重夺全球第一
- 核心目标:超越 SK 海力士,追求更高营业利润
SK 海力士:死磕 HBM,做定制化 AI 内存
- 占据 HBM 约 55% 份额,2026 年 1c DRAM 产能扩至 16~19 万片 / 月
- 成立专属 HBM 封装、质量、美洲技术组织,走 “全栈式 AI 内存” 路线
美光:最激进,彻底退出消费级市场
- 2026 年 2 月底前关闭运营 29 年的 Crucial 消费品牌
- 投 96 亿美元在日本广岛新建 HBM 工厂,2028 年左右出货
- 全面转向云厂商、AI 数据中心大客户
结果:三大厂集体削减成熟制程产能,DDR4 等常规存储紧缺将延续至 2026 年上半年。
二、利基厂迎来黄金窗口:华邦、南亚科填补市场真空
头部大厂撤离,利基型存储厂商成为成熟市场主力供给:
- 南亚科:DDR4 占比超 50%,产能满载,11 月营收同比暴增 365%
- 华邦电子:砸 355 亿新台币扩产,2026 年底 DRAM 产能从 1.5 万片→3 万片 / 月主推 20nm/16nm DDR4/LPDDR4,推出 8Gb 3600Mbps 高频版本,主攻服务器、工业、嵌入式
三、国产存储崛起:高端突破 + 产能扩张,筑牢供应链安全
长鑫存储
- 发布 DDR5,速率最高 8000Mbps,单颗最高 24Gb,正式切入高端市场
- 2025 年底产能达 30 万片 / 月,同比增近 50%
长江存储
- 武汉第三座 NAND 厂开建,月产能 10 万片
- 2026 年市占有望从 9% 提升至 15%,冲击全球第四
生态全面成型
- 江波龙、佰维存储实现 eMMC/UFS 主控自研量产
- 金融、能源、医疗等关键领域实现存储方案国产化
- 从 “组装代工” 走向 “芯片 + 主控 + 方案” 全链条自主
四、新格局总结:超级周期持续至 2027 年,供应链逻辑彻底改写
- 需求驱动切换:消费电子 → AI 服务器 + 边缘智能
- 产能结构重构:HBM/DDR5 挤兑成熟制程,DDR4/eMMC 持续紧缺
- 竞争分层明确
- 头部:HBM、先进 DDR5、高端 NAND
- 台系利基厂:DDR4、嵌入式、工业级存储
- 国产:自主可控 + 中高端突破,成为供应链 “压舱石”
- 采购策略转向:单一货源 → 多元备份、长单锁价、国产替代并行