[Core News] Samsung And SK Hynix Raise Prices, With Memory Prices Rising By Up To 70%!

一、存储涨价再确认：Q1 DRAM 最高涨 70%，NAND 同步大涨

1. 三星、SK 海力士对 DRAM 涨价 60%–70%

   供应链消息显示，两大韩厂已向服务器、PC、手机客户通知涨价，2026 年一季度报价较去年四季度上调60%–70%。

   核心原因：HBM3E 产能倾斜，挤占常规 DRAM 产能，供需缺口持续扩大，已导致手机内存成本占比从 15% 升至20% 以上。
2. TrendForce：Q1 DRAM 涨 55%+，NAND 涨 33%+

• 一般型 DRAM 合约价：环比 **+55%~60%**
• 服务器 DRAM 出货价：环比 **+60% 以上 **
• NAND 闪存合约价：环比 **+33%~38%**
• 客户端 SSD：季度涨幅至少 40%
  机构同时预测，2026 年企业级 SSD 对 NAND 的需求将首次超过手机。

二、美光加速高端存储：HBM4 量产、首发 PCIe 5.0 QLC SSD

1. 美光 Q2 起大幅提升 HBM4 产能

   计划 HBM4 月产能增至1.5 万片晶圆，占总 HBM 产能近 30%；良率爬升速度将超过 HBM3E，预计 Q2 完成英伟达认证后正式量产。
2. 发布业界首款 PCIe 5.0 QLC SSD 3610

   顺序读取11000 MB/s、连续写入9300 MB/s，在 M.2 2230 超薄形态下实现4TB容量，主打 AI PC 与轻薄本市场。

三、国际大厂新品与并购：汽车、功率、高速互联全面发力

1. 德州仪器发布全新汽车芯片组合

   推出 TDA5 高性能 SoC、AWR2188 8 发 8 收 4D 成像雷达芯片、10BASE-T1S 车载以太网 PHY，面向 L3 级 ADAS 与软件定义汽车（SDV）。
2. 英特尔公布 300mm GaN Chiplet 重大突破

   全球首个 300mm 硅基氮化镓 Chiplet，衬底薄至 19µm，单片集成 GaN 功率管 + 硅 CMOS 数字电路，适用于高密度电力电子与射频器件。
3. Marvell 5.4 亿美元收购 Xconn

   补强 PCIe 5.0/6.0、CXL 2.0/3.1 交换芯片，扩大在 AI 服务器高速互联领域的布局。

四、国内厂商动态：IP 突破 + 并购扩品类

1. 国芯科技 DPNPU 新 IP 测试成功

   面向端侧 / 边缘 AI 的数据流并行 NPU，基于 RISC-V 架构，内置 90 + 算子，支持混合精度计算，配套完整软件生态，目前处于市场导入阶段。
2. 希荻微 3.1 亿元收购诚芯微

   切入电源管理、电机芯片、MOSFET、电池管理芯片领域，完善功率与模拟产品线布局。